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    臺銘光電3mm直插綠光視覺光源 led燈珠
    產品: 瀏覽次數:750臺銘光電3mm直插綠光視覺光源 led燈珠 
    品牌: 臺銘光電
    單價: 電議
    最小起訂量:
    供貨總量: 100000
    發貨期限: 自買家付款之日起 4 天內發貨
    有效期至: 長期有效
    最后更新: 2022-11-19 20:52
     
    詳細信息
    是否有現貨: 品牌: 臺銘光電
    芯片品牌: 晶元 工作電流: 0-20
    工作電壓: 2.8-3.4 功率: 0.06
    外形尺寸: 3MM 支架材質:
    熱阻: ≤5 顯色指數: 80-90
    發光角度: 30 發光效率: 100
    發光面尺寸: ¢17 色容差: <5
    96小時加速老化: 98 允許結溫: 125
    光強/光通量: 1200-8000 主波長/色溫: 520-530
    ESD(人體模式): 2000 1000小時常規老化: 95
    型號: TM-L3GSJ-E 規格: 3MM
    商標: 臺銘光電 包裝: 真空包裝

    3mm直插綠光視覺光源 led燈珠

    產品型號:TM-L3GSJ-E 應用范圍:條形、面板、同軸、環形、四面可調視覺光源產品 產品描述:臺灣制程:高亮、高一致性,可微電流啟動測試使用。 焊點加固:適合手工、浸錫爐、波峰焊作業。低電流啟動一致性好,顏色光斑均勻,壽命長,耐高溫,工作穩定性強。

    產品介紹

    臺灣臺銘光電科技股份有限公司是專業的機器視覺光源LED光源燈珠生產制造商,在視覺光源LED燈珠方面研發、生產、銷售有15年歷史及經驗,深知視覺光源LED燈珠的特殊高要求,應廣大國內視覺光源客戶的供貨要求及配合速度,臺銘光電(東莞)公司另增兩條生產線專注生產視覺光源LED燈珠。臺銘品質管理體系:臺銘光電科技全套采用ASM 自動化封裝及檢測設備,十萬級凈化、恒溫恒濕、防靜電生產車間,并全部采用進口原材料及精細嚴謹的臺灣企業管理模式,臺銘光電嚴謹執行SGS公司ISO9001:2008品質管理體系認證,奉獻“不投入不良、不制造不良、不流出不良”的ITD原則,全程呵護產品品質。 注: 臺銘視覺光源專用LED燈珠都經過低電流電壓分光分色,保證一致性和無色差, 可微電流電壓啟動測試使用,亮度、角度、色溫、紫光波段均可按客戶要求做貨。
    Type規格/型號 Emitting Color顏色 Material 原材料 View Angle發光角度 VF(V) 電壓 IV(MCD) 亮度 WL(nm) 波長 IF(MA)電流
    Typ Max Min Typ Min Max
    TM-L03RSJ-E(紅光) Red AlGaInP 45° 1.8 2.4 2000 4000 620 630 0-20MA
    TM-L03YSJ-E(黃光) Yellow AlGaInP 30° 1.8 2.4 300 6000 585 595 0-20MA
    TM-L3CGSJ-E( ) Green InGaN/GaN 30° 2.8 3.4 1200 8000 520 530 0-20MA
    TM-L3BSJ-E(藍光) Blue InGaN/GaN 30° 2.8 3.4 300 500 460 475 0-20MA
    TM-L3UV365-E(紫光) Purple InGaN/GaN 30° 2.8 3.4 6 8 365 370 0-20MA
    TM-L03UV370-E(紫光) Purple InGaN/GaN 30° 2.8 3.4 10 13 370 375 0-20MA
    TM-L3UV380-E(紫光) Purple InGaN/GaN 30° 2.8 3.4 14 18 380 385 0-20MA
    TM-L03UV400-E(紫光) Purple InGaN/GaN 30° 2.8 3.4 60 70 395 400 0-20MA
    TM-L03UV405-E(紫光) Purple InGaN/GaN 30° 2.8 3.4 70 80 400 405 0-20MA
    TM-L03UV410-E(紫光) Purple InGaN/GaN 30° 2.8 3.4 80 90 405 410 0-20MA
    TM-L3NB55-E(白光) White InGaN/GaN 30° 2.8 --- 6000 --- 5500 6000 0-20MA
    TM-L3ZB65-E(白光) White InGaN/GaN 45° 2.8 --- 6000 --- 6500 7000 0-20MA
    TM-L3LB80-E(白光) White InGaN/GaN 30° 2.8 --- 6000 --- 8000 10000 0-20MA

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